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UMD9NFHATR Especificaciones técnicas

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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Otros incluyen   "UMD9N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'UMD9N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMD9N ROHM CIs Calientes Especializados 3917
UMD9N TR ROHM CIs Calientes Especializados 2631
UMD9N TR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 5109
UMD9NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 96652
UMD9NTR ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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