UMB3NTN Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 100
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2005
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "UMB3N"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMB3N Original CIs Calientes Especializados 3220
UMB3N B3 Original CIs Calientes Especializados 82355
UMB3NB3 CJ CIs Calientes Especializados 69215
UMB3NFHA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
UMB3NFHATN LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2708
UMB3NFHATN ROHM Semiconductor Matrices BJT Transistores
UMB3NFSTN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3229
UMB3NTN LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3302

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