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UMB1NTN Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MB1
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 56
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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UMB1NTN Documentos

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Otros incluyen   "UMB1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'UMB1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMB1N ROHM CIs Calientes Especializados 1239
UMB1NFSTN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3250
UMB1NTN LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 90386

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