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UMA6NTR Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature DIGITAL
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 5
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "UMA6N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'UMA6N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMA6N ROHM CIs Calientes Especializados 33500
UMA6NT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3417
UMA6NT1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
UMA6NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6341

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