UM6J1NTN Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rise Time 5ns
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *J1
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 200mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UM6J1 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3000
UM6J1 NTN ROHM CIs Calientes Especializados 3500
UM6J1N ROHM CIs Calientes Especializados 3556
UM6J1N TN ROHM CIs Calientes Especializados 11604
UM6J1N TN IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11760
UM6J1NTN LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3328

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