SP8M3FU6TB Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Base Part Number *M3
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 30V
Nominal Vgs 2.5 V
REACH SVHC No SVHC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Max Power Dissipation 2W
Element Configuration Dual
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A 4.5A
Rise Time 25ns
Turn-Off Delay Time 60 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8M3 ROHM CIs Calientes Especializados 5265
SP8M3 F TB ROHM CIs Calientes Especializados 622
SP8M3 FD5TB ROHM CIs Calientes Especializados 583
SP8M3 TB ROHM CIs Calientes Especializados 2471
SP8M3-TB ROHM CIs Calientes Especializados 18297
SP8M3F TB ROHM CIs Calientes Especializados 2623
SP8M3FD5TB ROHM CIs Calientes Especializados 1249
SP8M3FD5TB1 ROHM CIs Calientes Especializados 28084
SP8M3FT1TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2979
SP8M3FT1TB IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2758

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