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SP8K4FU6TB Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Base Part Number *K4
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 30V
Nominal Vgs 2.5 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Max Power Dissipation 2W
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Rise Time 15ns
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "SP8K4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SP8K4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8K4 ROHM CIs Calientes Especializados 32115
SP8K4 TB ROHM CIs Calientes Especializados 2556
SP8K4-TB V CIs Calientes Especializados 17934
SP8K4-TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17821
SP8K4FU6TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2232
SP8K4FU6TB MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2746
SP8K4FU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 30364
SP8K4GTB1 ROHM CIs Calientes Especializados 1566
SP8K4TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 12551
SP8K4TB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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