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SP8K3FU6TB Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Subcategory FET General Purpose Power
Base Part Number *K3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2.5 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Threshold Voltage 2.5V
Dual Supply Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "SP8K3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SP8K3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8K3 ROHM CIs Calientes Especializados 2480
SP8K3 FMTTB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2320
SP8K3-TB R CIs Calientes Especializados 10473
SP8K31 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 757
SP8K31-TB R CIs Calientes Especializados 10343
SP8K31FRA Rohm CIs Calientes Especializados 3335
SP8K31FRA MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 80420
SP8K31FRATB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3384
SP8K31FRATB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SP8K31TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 4105

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