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SP8J4TB Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 8A
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2003
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish TIN COPPER
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -2A
Base Part Number *J4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235m Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 10V
Rise Time 10ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Drain-source On Resistance-Max 0.235Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "SP8J4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SP8J4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8J4 ROHM CIs Calientes Especializados 2509
SP8J4 FU6TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2942
SP8J4-TB R CIs Calientes Especializados 10427
SP8J4TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2868

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