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SH8MA4TB1 Especificaciones técnicas

SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta 8.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0325Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.4m Ω @ 9A, 10V, 29.6m Ω @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF 890pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC, 19.6nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 5.7 mJ
FET Feature Standard
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SH8MA4TB1 Documentos

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Otros incluyen   "SH8MA"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SH8MA' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8MA2GZETB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2713
SH8MA2GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8MA3TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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