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SH8M70TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number *M70
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A 2.5A
Continuous Drain Current (ID) 2.5A
FET Feature Standard
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63 Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SH8M70TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2534

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