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SH8M51GZETB Especificaciones técnicas

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.4W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta 2.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170m Ω @ 3A, 10V, 290m Ω @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF 1550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC, 12.5nC @ 5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.19Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
FET Feature Standard
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Otros incluyen   "SH8M5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SH8M5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8M5 ROHM CIs Calientes Especializados 3498
SH8M5TB ROHM CIs Calientes Especializados 2842
SH8M5TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17946
SH8M5TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2525
SH8M5TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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