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SH8M31GZETB Especificaciones técnicas
SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 2W Ta |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 18A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N and P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65m Ω @ 4.5A, 10V, 70m Ω @ 4.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF 2500pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC, 40nC @ 5V, 10V |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Drain-source On Resistance-Max | 0.077Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
FET Feature | Standard |
SH8M31GZETB Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SH8M31GZETB
-
Hojas de datos
Otros incluyen "SH8M3" partes
Las siguientes partes incluyen 'SH8M3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SH8M3 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3467 |
SH8M31 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 836 |
SH8M3TB | R | CIs Calientes Especializados | 13110 |
SH8M3TB IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2107 |
SH8M3TB MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 16178 |
SH8M3TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 20009 |
SH8M3TB1 | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
SH8M3TB1 MOS | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2971 |
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