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SH8M2TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Standard
Rds On Max 83 mΩ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *M2
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Input Capacitance 140pF
Drain to Source Resistance 107mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'SH8M2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8M24 ROHM CIs Calientes Especializados 685
SH8M24GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8M24TB R CIs Calientes Especializados 5491
SH8M24TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5201
SH8M24TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8M24TB1 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 27733
SH8M2TB ROHM CIs Calientes Especializados 461
SH8M2TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18884
SH8M2TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7498
SH8M2TB1 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 5248

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