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SH8M13GZETB Especificaciones técnicas
MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | N and P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A 7A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Not For New Designs |
Power - Max | 2W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
SH8M13GZETB Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SH8M13GZETB
-
Hojas de datos
Otros incluyen "SH8M1" partes
Las siguientes partes incluyen 'SH8M1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SH8M11 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 7530 |
SH8M11TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 13019 |
SH8M11TB MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 17856 |
SH8M11TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 45098 |
SH8M11TB1 | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
SH8M11TB1 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 894 |
SH8M12 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 6457 |
SH8M12 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 16280 |
SH8M12TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 585 |
SH8M12TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 108770 |
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