SH8K52GZETB Especificaciones técnicas

100V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8K5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 1.4W Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V
FET Feature Standard
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8K5 ROHM CIs Calientes Especializados 16848
SH8K51GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K5TB R CIs Calientes Especializados 15868
SH8K5TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16204
SH8K5TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2664
SH8K5TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K5TB1 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2271

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