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SH8K10SGZETB Especificaciones técnicas
SH8K10S IS A POWER MOSFET WITH L
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A Ta 8.5A Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Last Time Buy |
Power - Max | 1.4W Ta |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7A, 10V, 19.6m Ω @ 8.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF 830F @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC, 17.8nC @ 5V |
FET Feature | Standard |
SH8K10SGZETB Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SH8K10SGZETB
-
Hojas de datos
Otros incluyen "SH8K1" partes
Las siguientes partes incluyen 'SH8K1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SH8K1 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 10430 |
SH8K1 TB1 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 12795 |
SH8K11 | R | CIs Calientes Especializados | 12850 |
SH8K11 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19324 |
SH8K11MGATB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 5000 |
SH8K11TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3123 |
SH8K11TB1 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1307 |
SH8K12 | R | CIs Calientes Especializados | 16356 |
SH8K12 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 16186 |
SH8K12GZETB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2728 |
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