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SCT2450KEC Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation-Max 85W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 585m Ω @ 3A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 463pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Vgs (Max) +22V, -6V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 1.2kV
Nominal Vgs 4 V
Length 15.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature 175°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 585mOhm
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 900μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Rise Time 17ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 18V
Fall Time (Typ) 34 ns
Continuous Drain Current (ID) 10A
Gate to Source Voltage (Vgs) 22V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 25A
Height 5.03mm
Width 20.95mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "SCT24"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SCT24' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SCT2400EVM CML Microcircuits Placas RF
SCT2400HDA CML Microcircuits Módulos Transceptores RF
SCT2430STER SCT CIs Calientes Especializados 6223
SCT2450KE ROHM CIs Calientes Especializados 2557
SCT2450KEC LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2650
SCT2450STER SCT CIs Calientes Especializados 6381

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