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RQ6P015SPTR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 350mOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage -2.5V
REACH SVHC No SVHC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 600mW Ta
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470m Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 322nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "RQ6P0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RQ6P0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RQ6P015SP LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 39000
RQ6P015SP TR ROHM CIs Calientes Especializados 3500
RQ6P015SPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5375

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