RPT-38PB3F Especificaciones técnicas

SENSOR PHOTO 800NM TOP VIEW T1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Sensores / Fototransistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 1
Operating Temperature -25°C~85°C TA
Published 1997
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature WITH DAYLIGHT FILTER
Max Power Dissipation 150mW
Number of Functions 1
Configuration SINGLE
Viewing Angle 72°
Optoelectronic Device Type PHOTO TRANSISTOR
Rise Time 10μs
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5V
Wavelength - Peak 800 nm
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Dark Current 500nA
Light Current-Nom 2mA
Length 3.4mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case T-1
Shape ROUND
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Photo Transistors
Orientation Top View
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Output Power 150mW
Lens Style Domed
Fall Time (Typ) 10 μs
Max Collector Current 30mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 32V
On-State Current-Max 0.03A
Infrared Range YES
Height 5.2mm
Width 3.4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RPT-34PB3F LAPIS Semiconductor Sensores Ópticos - Fototransistores 2648
RPT-34PB3F ROHM Semiconductor Fototransistores
RPT-34PB3FM LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 4418
RPT-37PB3F LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1104
RPT-37PB3FN LAPIS Semiconductor Sensores Ópticos - Fototransistores 2587
RPT-37PB3FN ROHM Semiconductor Fototransistores
RPT-38PB3F LAPIS Semiconductor Sensores Ópticos - Fototransistores 553
RPT-38PB3FL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2318
RPT-38PT3F LAPIS Semiconductor Sensores Ópticos - Fototransistores 2781
RPT-38PT3F ROHM Semiconductor Fototransistores

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