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RGTV00TK65GVC11 Especificaciones técnicas

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 1.17mJ (on), 940μJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 94W
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Gate Charge 104nC
Td (on/off) @ 25°C 41ns/142ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTV00TK65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2507
RGTV00TK65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTV00TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2732
RGTV00TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2755
RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTV00TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2550
RGTV00TS65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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