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RGTH80TK65DGC11 Especificaciones técnicas

IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 66W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 58ns
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 194 ns
Gate Charge 79nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/120ns
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Las siguientes partes incluyen  'RGTH8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH80TS65DG LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 330
RGTH80TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2507
RGTH80TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH80TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2712
RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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