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RGTH50TS65DGC11 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 58 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Test Condition 400V, 25A, 10 Ω, 15V
Continuous Collector Current 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
REACH SVHC Unknown
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 174W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 174W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 50A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Turn Off Time-Nom (toff) 172 ns
Gate Charge 49nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/94ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTH50TK65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH50TK65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH50TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2797
RGTH50TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2682
RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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