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RGT8TM65DGC9 Especificaciones técnicas

FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 40ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 16W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
JEDEC-95 Code TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Test Condition 400V, 4A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 158 ns
Gate Charge 13.5nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
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