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RGT60TS65DGC11 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 55A 194W TO-247N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 58 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Continuous Collector Current 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
REACH SVHC Unknown
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 194W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 194W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 55A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Turn Off Time-Nom (toff) 218 ns
Gate Charge 58nC
Td (on/off) @ 25°C 29ns/100ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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