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RGT50NL65DGTL Especificaciones técnicas

FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 58ns
Current - Collector (Ic) (Max) 48A
Test Condition 400V, 25A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 210 ns
Gate Charge 49nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/88ns
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 194W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'RGT50' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGT50NS65DGC9 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT50NS65DGTL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2000
RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT50TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2566
RGT50TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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