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RGT40TM65DGC9 Especificaciones técnicas

FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 58ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 39W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
JEDEC-95 Code TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 17A
Test Condition 400V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 204 ns
Gate Charge 40nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/75ns
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Las siguientes partes incluyen  'RGT40' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGT40NL65DGTL ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT40NS65DGC9 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT40NS65DGTL LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2638
RGT40NS65DGTL ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT40TS65D LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 4
RGT40TS65DG ROHM CIs Calientes Especializados 677
RGT40TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2727
RGT40TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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