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RGT20TM65DGC9 Especificaciones técnicas

650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 42ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 25W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
JEDEC-95 Code TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Test Condition 400V, 10A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 174 ns
Gate Charge 22nC
Td (on/off) @ 25°C 12ns/32ns
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