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RGS00TS65HRC11 Especificaciones técnicas

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE
Power - Max 326W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 88A
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 292 ns
Gate Charge 58nC
Td (on/off) @ 25°C 36ns/115ns
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
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RGS00TS65DHRC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 371
RGS00TS65DHRC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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