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RE1C001UNTCL Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ω @ 100mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
Rise Time | 4ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.2V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 38 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100mA |
Drain-source On Resistance-Max | 4.2Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2012 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
Power Dissipation-Max | 150mW Ta |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
DS Breakdown Voltage-Min | 20V |
Lead Free | Lead Free |
RE1C001UNTCL Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RE1C001UNTCL
-
Hojas de datos
Otros incluyen "RE1C0" partes
Las siguientes partes incluyen 'RE1C0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RE1C001UN | ROHM | CIs Calientes Especializados | 9010 |
RE1C001UN TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 12375 |
RE1C001UNTCL | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1308 |
RE1C001UNTCL IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 21217 |
RE1C001ZP | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
RE1C001ZP TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 12599 |
RE1C001ZPTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 36448 |
RE1C002UN | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150010 |
RE1C002UN TCL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 90000 |
RE1C002UN TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 10011 |
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