RBR30NS40AFHTL Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matriz de Diodos Rectificadores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Diode Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Operating Temperature (Max) 150°C
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 360μA @ 40V
Operating Temperature - Junction 150°C Max
Application GENERAL PURPOSE
Current - Average Rectified (Io) 30A
Rep Pk Reverse Voltage-Max 40V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 2
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 620mV @ 15A
Output Current-Max 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40V
Number of Phases 1
Non-rep Pk Forward Current-Max 100A
Reverse Current-Max 360μA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RBR30NS30AFHTL ROHM Semiconductor Matriz de Diodos Rectificadores
RBR30NS60AFHTL ROHM Semiconductor Matriz de Diodos Rectificadores

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