RB541XNTR Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matriz de Diodos Rectificadores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Diode Element Material SILICON
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 125°C
Voltage - Rated 50V
HTS Code 8541.10.00.70
Terminal Position DUAL
Base Part Number RB541XN
Case Code (Imperial) 0402
Element Configuration Single
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 530mV @ 100mA
Operating Temperature - Junction 125°C Max
Forward Voltage 350mV
Average Rectified Current 100mA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 30V
Diode Configuration 3 Independent
Reverse Voltage (DC) 10V
Width 508μm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 7.512624mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Capacitance 3.6pF
Terminal Form GULL WING
Case Code (Metric) 1005
Number of Elements 3
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 10μA @ 10V
Forward Current 10mA
Output Current-Max 0.1A
Max Reverse Voltage (DC) 30V
Peak Reverse Current 10μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 500mA
Max Forward Surge Current (Ifsm) 500mA
Length 990.6μm
Thickness 558.8μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RB541VM-40 TE-17 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2170
RB541X LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 9464
RB541XN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2853
RB541XNFHTR ROHM Semiconductor Matriz de Diodos Rectificadores
RB541XNTR LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2516

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