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QSZ3TR Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 12V 3A 5TSMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Power - Max 500mW
Gain Bandwidth Product 280MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Transition Frequency 360MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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QSZ3TR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2778

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