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QSZ2TR Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Power - Max 1.25W
Gain Bandwidth Product 280MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 300MHz
Frequency - Transition 300MHz 280MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number QSZ
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Max Breakdown Voltage 30V
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QSZ2TR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 3532

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