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QST8TR Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 12V 1.5A 6TSMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number QST
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage -85mV
Collector Base Voltage (VCBO) -15V
hFE Min 270
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power - Max 1.25W
Gain Bandwidth Product 400MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 200mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 25mA, 500mA
Transition Frequency 400MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -1.5A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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QST8TR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2204

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