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QST6TR Especificaciones técnicas

QST6TR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.25W
Terminal Form GULL WING
Current Rating -2A
Base Part Number QST
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 360MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
hFE Min 270
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Power - Max 500mW
Gain Bandwidth Product 360MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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QST6TR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2576

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