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QS8M31TR Especificaciones técnicas

QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.1W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta 2A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1.4 mJ
FET Feature Standard
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112m Ω @ 3A, 10V, 210m Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF 750pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC, 7.2nC @ 5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.137Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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QS8M31 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 491

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