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QS8K51TR Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Published | 2016 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rise Time | 10ns |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2A |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
Drain to Source Resistance | 240mOhm |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 8 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 1.5W |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Base Part Number | *K51 |
Number of Channels | 2 |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 6A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
QS8K51TR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para QS8K51TR
-
Hojas de datos
Otros incluyen "QS8K5" partes
Las siguientes partes incluyen 'QS8K5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
QS8K51TR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2753 |
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