QS8J2TR Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Pin Count 8
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36m Ω @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1940pF @ 6V
Rise Time 60ns
Fall Time (Typ) 180 ns
Continuous Drain Current (ID) 4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 550mW
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Turn-Off Delay Time 300 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.036Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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QS8J2FU7TR ROHM CIs Calientes Especializados 1264
QS8J2TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3280

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