QS5Y1TR Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 5
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Max Breakdown Voltage 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.25W
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 5
Number of Elements 2
Power - Max 1.25W
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 270MHz
Frequency - Transition 300MHz 270MHz
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QS5Y1TR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2703

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