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QH8K26TR Especificaciones técnicas

QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 5V
Drain-source On Resistance-Max 0.038Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.1W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1 mJ
FET Feature Standard
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QH8K22TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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