MMST4403T146 Especificaciones técnicas

MMST4403T146 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -600mA
Base Part Number T4403
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 750mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 200MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 20
Turn Off Time-Max (toff) 255ns
Collector-Base Capacitance-Max 7pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 59
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Gain Bandwidth Product 200MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
VCEsat-Max 0.6 V
Turn On Time-Max (ton) 35ns
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "MMST4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMST4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMST4124-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 74880
MMST4124-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3392
MMST4124T146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2675
MMST4126 SAMSUNG CIs Calientes Especializados 436
MMST4126 T146 ROHM CIs Calientes Especializados 12305
MMST4126-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2539
MMST4126-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5889
MMST4126T146 ROHM CIs Calientes Especializados 15500
MMST4401 Original CIs Calientes Especializados 75258
MMST4401 T146 ROHM CIs Calientes Especializados 1232

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