HP8M31TB1 Especificaciones técnicas

HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65m Ω @ 8.5A, 10V, 70m Ω @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF 2300pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC, 38nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 5.4 mJ
FET Feature Standard
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drain-source On Resistance-Max 0.073Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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