HP8K24TB Especificaciones técnicas

HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Ta 27A Tc 26A Ta 80A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0133Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN SOURCE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8m Ω @ 15A, 10V, 3m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF 2410pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC, 36nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 15A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Avalanche Energy Rating (Eas) 16.5 mJ
FET Feature Standard
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HP8K20FU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 1234
HP8K22 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3994
HP8K22TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2843
HP8K22TB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
HP8K24 ROHM CIs Calientes Especializados 2560
HP8K24TB IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 25430

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