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EMZ7T2R Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
Current Rating 500mA
Base Part Number *MZ7
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 260MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transition Frequency 320MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
hFE Min 270
Continuous Collector Current 500mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage -100mV
Frequency - Transition 320MHz 260MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 550μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMZ7T2R LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 4073

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