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EMT1T2R Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form FLAT
Current Rating -150mA
Base Part Number *MT1
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 140MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -150mA
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3/e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN/TIN COPPER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 120
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMT1T2R LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 16265

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