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EMH59T2R Especificaciones técnicas
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Polarity/Channel Type | NPN |
Max Collector Current | 70mA |
Transition Frequency | 250MHz |
DC Current Gain-Min (hFE) | 80 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 150mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
EMH59T2R Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para EMH59T2R
-
Hojas de datos
Otros incluyen "EMH59" partes
Las siguientes partes incluyen 'EMH59'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMH59 T2R | ROHM | CIs Calientes Especializados | 30300 |
EMH59T2R | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2628 |
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