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EMD30T2R Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SMD/SMT
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 200mA
Transition Frequency 260MHz
DC Current Gain-Min (hFE) 30
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Max Breakdown Voltage 30V
Continuous Collector Current -200mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "EMD30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'EMD30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMD30 T2R ROHM CIs Calientes Especializados 22229
EMD30 T2R IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 7302
EMD3001-50VC06GRR EMP CIs Calientes Especializados 22000
EMD3001-50VC06GRR IC EMP CIs Calientes Especializados 3223
EMD30T2R LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 1270

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