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EMD2FHAT2R Especificaciones técnicas
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 22k Ω |
Collector-Emitter Voltage-Max | 50V |
EMD2FHAT2R Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "EMD2F" partes
Las siguientes partes incluyen 'EMD2F'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMD2FHAT2R | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2791 |
EMD2FST2R | ROHMNMX | CIs Calientes Especializados | 8421 |
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