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EMA11T2R Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 5
Number of Elements 2
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Radiation Hardening No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMA11T2R LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 32419

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